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FDD7N20TM Spécifications techniques
FDD7N20TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | UniFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 43W |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A Tc |
Rise Time | 30ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 13 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 690mOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 43W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690m Ω @ 2.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 10 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 5A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 5A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 62.5 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDD7N20TM Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour FDD7N20TM
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDD7N20 | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 860 |
FDD7N20 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 601 |
FDD7N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 623 |
FDD7N20TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 35855 |
FDD7N20TM IC | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 434 |
FDD7N20TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2937 |
FDD7N25LZ | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 5233 |
FDD7N25LZTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6556 |
FDD7N25LZTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1039 |
FDD7N25LZTM | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples |
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