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FDFM2P110 Spécifications techniques

Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.5 A, 140 mO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Weight 9mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Nickel/Palladium (Ni/Pd)
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 3.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 3.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Height 750μm
Width 3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 140MOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -3.5A
Power Dissipation-Max 2W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A Ta
Rise Time 12ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 11 ns
JEDEC-95 Code MO-229WEEA
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Length 3mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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