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FDFMA3P029Z Spécifications techniques

MOSFET PChan Sgl -30V -3.3A PowerTrench MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e4
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 87m Ω @ 3.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Cut Tape (CT)
Series PowerTrench®
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 1.4W Ta
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A Ta
Rise Time 3ns
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.3A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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