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FDG315N Spécifications techniques
FDG315N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Weight | 28mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | 2A |
Power Dissipation-Max | 750mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 3 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A Ta |
Rise Time | 11ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 7 ns |
Threshold Voltage | 1.8V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2A |
Dual Supply Voltage | 30V |
Height | 1mm |
Width | 1.25mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 120MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 750mW |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120m Ω @ 2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 2A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Nominal Vgs | 1.8 V |
Length | 2mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDG315N Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDG311N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 30184 |
FDG311N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 64103 |
FDG311N | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDG311N MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 4363 |
FDG311N-NL | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 3377 |
FDG311N-NL NSL12AWT1G | Son | Circuits intégrés spécialisés | 2608 |
FDG311N_NL | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 549 |
FDG312P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 328489 |
FDG312P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5316 |
FDG312P | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples |
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