FDG330P Spécifications techniques

FDG330P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 48 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Weight 28mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -12V
Terminal Position DUAL
Current Rating -2A
Power Dissipation-Max 750mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A Ta
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
Length 2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 750mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 477pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Threshold Voltage -700mV
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2A
Height 1mm
Width 1.25mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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