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FDG6306P Spécifications techniques
FDG6306P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 5.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Turn-Off Delay Time | 6 ns |
Threshold Voltage | -1.2V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 1.1mm |
Width | 1.25mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Weight | 28mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 300mW |
Current Rating | -600mA |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 300mW |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420m Ω @ 600mA, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 114pF @ 10V |
Rise Time | 14ns |
Fall Time (Typ) | 14 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 600mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
FET Feature | Logic Level Gate |
Length | 2mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDG6306P Documents
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Feuilles de données
D'autres incluent "FDG63" les pièces
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDG6301 | 120K | Circuits intégrés spécialisés | 54764 |
FDG6301G | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 2672 |
FDG6301N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 167678 |
FDG6301N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2336 |
FDG6301N | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
FDG6301N IC | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 9413 |
FDG6301N MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1751 |
FDG6301N-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 50319 |
FDG6301N-F085 | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
FDG6301N-F085P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2690 |
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