FDI038AN06A0 Spécifications techniques

MOSFET 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 310W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 2.084g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating 80A
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 310W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Ta 80A Tc
Rise Time 144ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 34 ns
JEDEC-95 Code TO-262AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0038Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 625 mJ
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