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FDI038AN06A0 Spécifications techniques
MOSFET 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 9 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 310W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8m Ω @ 80A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 60 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Weight | 2.084g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 60V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 80A |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 310W |
Turn On Delay Time | 17 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A Ta 80A Tc |
Rise Time | 144ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 34 ns |
JEDEC-95 Code | TO-262AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0038Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 625 mJ |
Lead Free | Lead Free |
FDI038AN06A0 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDI030N06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2521 |
FDI030N06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2511 |
FDI030N06 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDI030N06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 555 |
FDI038AN06A0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3215 |
FDI038AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1170 |
FDI038AN06AO | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 2708 |
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