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FDI9406-F085 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 176W
Turn On Delay Time 28 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A Tc
Rise Time 48ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 50 ns
JEDEC-95 Code TO-262AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0022Ohm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Weight 2.084g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 176W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 110A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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