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FDM2509NZ Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x5)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 20V
Current Rating 8.7A
Turn On Delay Time 11 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A
Rise Time 15ns
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.7A
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 18 mΩ
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 2.2W
Power Dissipation 2.2W
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 1.2nF
Drain to Source Resistance 18mOhm
Radiation Hardening No
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