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FDMA1025P Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MLP2X2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Weight 40mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 700mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155m Ω @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Threshold Voltage -900mV
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 750μm
Width 2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Form NO LEAD
Current Rating -3.1A
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.4W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A
Rise Time 14ns
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) -3.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6A
FET Feature Logic Level Gate
Length 2mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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