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FDMA8884 Spécifications techniques

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
HTS Code 8541.29.00.95
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.9W
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A Ta 8A Tc
Rise Time 1ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.023Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 28 pF
Length 2mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Power Dissipation-Max 1.9W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 1 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Height 750μm
Width 2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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