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FDMC7582 Spécifications techniques

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 32.13mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 8.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.7A Ta 49A Tc
Rise Time 2ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
JEDEC-95 Code MO-229
Drain Current-Max (Abs) (ID) 49A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Height 1.05mm
Width 3.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code S-PDSO-N5
Power Dissipation-Max 2.3W Ta 52W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5m Ω @ 16.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1795pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 1.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 16.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.005Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Length 3.3mm
Radiation Hardening No
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