FDMC86324 Spécifications techniques

FDMC86324 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 32.13mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Nickel/Palladium (Ni/Pd)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code S-PDSO-N5
Power Dissipation-Max 2.3W Ta 41W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 965pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
JEDEC-95 Code MO-240BA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Avalanche Energy Rating (Eas) 72 mJ
Length 3.3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 41W
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Ta 20A Tc
Rise Time 4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Threshold Voltage 3.1V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.023Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
Height 1.05mm
Width 3.3mm
REACH SVHC No SVHC
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