FDMC86570LET60 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 56A POWER33

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Weight 152.7mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 19 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3m Ω @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4790pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 18A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 800μm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 65W Tc
Power Dissipation 2.8W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Ta 87A Tc
Rise Time 6.2ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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