FDME510PZT Spécifications techniques

FDME510PZT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-PowerUFDFN
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ESD PROTECTION
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code S-PDSO-N3
Power Dissipation-Max 2.1W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37m Ω @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 93 ns
Threshold Voltage -500mV
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Height 500μm
Width 1.6mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.4W
Turn On Delay Time 6.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A Ta
Rise Time 10ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 54 ns
Continuous Drain Current (ID) 6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.037Ohm
Nominal Vgs -500 mV
Length 1.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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