FDME910PZT Spécifications techniques

FDME910PZT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-PowerUFDFN
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code S-PDSO-N3
Power Dissipation-Max 2.1W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 87 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.024Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 330 pF
Length 1.6mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.1W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A Ta
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 46 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Height 500μm
Width 1.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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