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FDMJ1032C Spécifications techniques
MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SC-75, MicroFET |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
Power - Max | 800mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | PowerTrench® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
FET Type | N and P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A 2.5A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
FDMJ1032C Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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FDMJ1023PZ | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
FDMJ1023PZ | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
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FDMJ1027P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
FDMJ1028N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2527 |
FDMJ1028N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2502 |
FDMJ1028N | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
FDMJ1032C | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2589 |
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