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FDMS0310S Spécifications techniques

MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 68.1mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Channels 2
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4m Ω @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2820pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.004Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
Height 1mm
Width 5mm
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®, SyncFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 46W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Ta 42A Tc
Rise Time 5ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 42A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 19A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 90A
Avalanche Energy Rating (Eas) 60 mJ
Length 6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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