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FDMS3500 Spécifications techniques

MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 68.1mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Resistance 14.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A Ta 49A Tc
Rise Time 9ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Height 1.05mm
Width 6mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PDSO-N5
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 96W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5m Ω @ 11.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4765pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.2A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 49A
Nominal Vgs 1.8 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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