FDMS7580 Spécifications techniques

MOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 68.1mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 27W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0075Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Nominal Vgs 1.6 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 59W
Turn On Delay Time 7.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Ta 29A Tc
Rise Time 6.8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 17 ns
Threshold Voltage 1.6V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 49A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Avalanche Energy Rating (Eas) 32 mJ
Height 1.05mm
Width 6mm
REACH SVHC No SVHC
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