FDMS7602S Spécifications techniques

FDMS7602S datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Contact Plating Gold
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 7.5MOhm
Max Power Dissipation 2.5W
Number of Elements 2
Power Dissipation 1W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Fall Time (Typ) 3.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 17A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
FET Feature Logic Level Gate
Height 700μm
Width 6mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Weight 211mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
JESD-30 Code R-PDSO-N6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN SOURCE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A 17A
Rise Time 3.8ns
Turn-Off Delay Time 27 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1.8 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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