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FDMS86252L Spécifications techniques
FDMS86252L datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Weight | 74mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2017 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 6.8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A Ta |
Rise Time | 1.4ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 19 ns |
JEDEC-95 Code | MO-240AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.056Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 30A |
Height | 1.05mm |
Width | 5.85mm |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 50W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56m Ω @ 4.4A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1335pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 2.9 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.4A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 73 mJ |
Length | 5mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDMS86252L Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour FDMS86252L
-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDMS8018 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 56024 |
FDMS8018 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 56024 |
FDMS8018 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDMS8018 IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 19771 |
FDMS8018 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 5219 |
FDMS8020 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 34664 |
FDMS8020 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 11634 |
FDMS8020 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDMS8020 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 332 |
FDMS8023S | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 4760 |
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