FDMS86322 Spécifications techniques

FDMS86322 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Weight 68.1mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 104W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Ta 60A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Threshold Voltage 2.9V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.00765Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200A
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 104W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.65m Ω @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 13A
JEDEC-95 Code MO-240AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 60A
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Height 1.05mm
Width 6mm
REACH SVHC No SVHC
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