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FDN358P Spécifications techniques
FDN358P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Weight | 30mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 125MOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 500mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A Ta |
Rise Time | 13ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 1.5A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | -30V |
Nominal Vgs | -1.9 V |
Length | 2.92mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -30V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | -1.5A |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 500mW |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125m Ω @ 1.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 182pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Threshold Voltage | -1.9V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -30V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 1.22mm |
Width | 3.05mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDN358P Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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FDN352 IC | Circuits intégrés spécialisés | 3341 | |
FDN352AP | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 215509 |
FDN352AP | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5267 |
FDN352AP | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDN352AP IC | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1655 |
FDN352AP MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2139 |
FDN352AP-NL | F | Circuits intégrés spécialisés | 10558 |
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