FDN359BN Spécifications techniques

FDN359BN datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 46mOhm
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 2.7A
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A Ta
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 1.8 V
Length 2.92mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 500mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.7mA
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Height 940μm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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