FDN537N Spécifications techniques

FDN537N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 465pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 25A
Length 2.92mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.29.00.95
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 1.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A Ta 6.5A Tc
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Height 940μm
Width 1.4mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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