FDP032N08 Spécifications techniques

FDP032N08 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 2.421g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 3.2MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 230 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 191ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 335 ns
Threshold Voltage 3.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 940A
Length 10.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 121 ns
Continuous Drain Current (ID) 235A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Height 15.38mm
Width 4.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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