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FDP10N60NZ Spécifications techniques
FDP10N60NZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 185W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 25 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A Tc |
Rise Time | 50ns |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 70 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 550 mJ |
Length | 10.36mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | UniFET-II™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 185W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750m Ω @ 5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1475pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 50 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 10A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.75Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40A |
Height | 16.07mm |
Width | 4.9mm |
REACH SVHC | No SVHC |
FDP10N60NZ Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDP100N10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 30533 |
FDP100N10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 30533 |
FDP100N10 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDP10AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 21444 |
FDP10AN06A0 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 26399 |
FDP10AN06AO | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 32365 |
FDP10N60NZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 28983 |
FDP10N60NZ | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 10632 |
FDP10N60NZ MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5322 |
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