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FDP120N10 Spécifications techniques

FDP120N10 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 12MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 170W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12m Ω @ 74A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5605pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 74A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 170W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 27 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 74A Tc
Rise Time 105ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 39 ns
Threshold Voltage 2.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 296A
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
FDP120AN15A0 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 18500
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