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FDP150N10A-F102 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 50A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Length 10.36mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series PowerTrench®
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 91W Tc
Power Dissipation 91W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Rise Time 16ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 15.215mm
Width 4.672mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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