FDP33N25 Spécifications techniques

FDP33N25 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UniFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 250V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 235W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94m Ω @ 16.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2135pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 120 ns
Continuous Drain Current (ID) 33A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 94MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 33A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 235W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 35 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Tc
Rise Time 230ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 75 ns
Threshold Voltage 5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Height 9.4mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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