FDP8N50NZ Spécifications techniques

FDP8N50NZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 130W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850m Ω @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 43 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
DS Breakdown Voltage-Min 500V
Length 10.67mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UniFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 130W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A Tc
Rise Time 34ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 27 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain-source On Resistance-Max 0.85Ohm
Height 9.4mm
Width 4.83mm
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