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FDPC8012S Spécifications techniques

FDPC8012S datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Weight 192mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 2W
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 800mW 900mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A 26A
Rise Time 3ns
Turn-Off Delay Time 34 ns
JEDEC-95 Code MO-240BA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 13A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
FET Feature Logic Level Gate
Length 3.3mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7m Ω @ 12A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 88A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain-source On Resistance-Max 0.007Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 725μm
Width 3.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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