FDPF5N50NZ Spécifications techniques

FDPF5N50NZ datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 1.5Ohm
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 30W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A Tc
Rise Time 22ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 28 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Height 15.87mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series UniFET-II™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 30W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ω @ 2.25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 21 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Nominal Vgs 5 V
Length 10.16mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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