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FDS4465-F085 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A Ta
Rise Time 24ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 140 ns
Continuous Drain Current (ID) 13.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 50A
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 230.4mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5m Ω @ 13.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8237pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 300 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
DS Breakdown Voltage-Min 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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