FDS4501H Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Current Rating 9.3A
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A 5.6A
Rise Time 15ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 40 ns
Threshold Voltage 1.6V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Length 4.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 18MOhm
Max Power Dissipation 1W
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Power Dissipation 2.5W
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 9.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1958pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 20V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.575mm
Width 3.9mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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