FDS4935A Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 900mW
Current Rating -7A
Voltage 30V
Current 7A
Power Dissipation 1.6W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1233pF @ 15V
Rise Time 10ns
Turn-Off Delay Time 48 ns
Threshold Voltage -1.6V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs -1.6 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 23MOhm
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage -30V
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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