FDS4935BZ Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.6W
Current Rating -6.9A
Number of Channels 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 6.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1360pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 68 ns
Threshold Voltage -1.9V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.75mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 22MOhm
Additional Feature ESD PROTECTION
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.6W
Power - Max 900mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A
Rise Time 13ns
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) -6.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Dual Supply Voltage -30V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Nominal Vgs 1.9 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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