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FDS6875 Spécifications techniques

FDS6875 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 30mOhm
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30m Ω @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 98 ns
Threshold Voltage -800mV
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 2W
Current Rating -6A
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Power - Max 900mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Rise Time 15ns
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) -6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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