FDS8638 Spécifications techniques

FDS8638 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 130mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 4.3MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3m Ω @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5680pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 18A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 1.9 V
Length 4.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Ta
Rise Time 6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 39 ns
Threshold Voltage 1.9V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Height 1.575mm
Width 3.9mm
REACH SVHC No SVHC
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