FDS8876 Spécifications techniques

FDS8876 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 130mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating 12.5A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A Ta
Rise Time 34ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 53 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 1.5mm
Width 4mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e4
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 8.2MOhm
Additional Feature FAST SWITCHING
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2m Ω @ 12.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 12.5A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Length 5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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