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FDS8878 Spécifications techniques
FDS8878 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | 10.2A |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.2A Ta |
Rise Time | 29ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Threshold Voltage | 2.5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Nominal Vgs | 2.5 V |
Length | 5mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Weight | 130mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e4 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 14MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14m Ω @ 10.2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 897pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 18 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 10.2A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 57 mJ |
Height | 1.5mm |
Width | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDS8878 Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour FDS8878
-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDS8812NZ | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1455 |
FDS8812NZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2953 |
FDS8812NZ IC | FDS | Circuits intégrés spécialisés | 2797 |
FDS8812NZ MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 681 |
FDS8812NZ-NL | F | Circuits intégrés spécialisés | 4975 |
FDS8813NZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 9855 |
FDS8813NZ | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 76828 |
FDS8813NZ | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDS8813NZ MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2696 |
FDS8813NZ-NL | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 41124 |
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