FDS89141 Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 62MOhm
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Max Power Dissipation 31W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62m Ω @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 50V
Rise Time 1.4ns
Fall Time (Typ) 2.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 37 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Length 4mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 31W
Power - Max 1.6W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Turn-Off Delay Time 9.8 ns
Threshold Voltage 3.1V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.5mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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