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FDS8949-F085 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Drain-source On Resistance-Max 0.029Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29m Ω @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20A
Avalanche Energy Rating (Eas) 26 mJ
Power Dissipation-Max (Abs) 2W
RoHS Status ROHS3 Compliant
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