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FDS9958-F085 Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 230.4mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105m Ω @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 30V
Rise Time 3ns
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.9A
Drain-source On Resistance-Max 0.105Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Max Power Dissipation 900mW
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 54 mJ
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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