FFB5551 Spécifications techniques

Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Weight 28mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 160V
Terminal Form GULL WING
Frequency 300MHz
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 160V
Collector Emitter Saturation Voltage 200mV
Collector Base Voltage (VCBO) 180V
hFE Min 80
Length 2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 200mW
Current Rating 200mA
Base Part Number FFB5551
Polarity NPN
Power Dissipation 200mW
Gain Bandwidth Product 300MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 160V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 160V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Height 1mm
Width 1.25mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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