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FFSH20120ADN-F155 Spécifications techniques

FFSH20120ADN-F155 datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Réseau de diodes redresseuses
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature HIGH RELIABILITY, PD-CASE
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 10A
Application EFFICIENCY
Current - Average Rectified (Io) 10A DC
Average Rectified Current 10A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 1.2kV
Reverse Current-Max 200μA
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 6.39g
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology AVALANCHE
Reach Compliance Code not_compliant
Operating Temperature (Max) 175°C
Power Dissipation-Max 150W
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200μA @ 1200V
Operating Temperature - Junction -55°C~175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Max Reverse Voltage (DC) 1.2kV
Number of Phases 1
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Max Forward Surge Current (Ifsm) 96A
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