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FGA20S120M Spécifications techniques

IGBT 1200V 40A 348W TO3PN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.55V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 20A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Length 15.8mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 348W
Element Configuration Single
Power - Max 348W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 301 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 865 ns
Gate Charge 208nC
Height 20.1mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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