FGA40T65SHD Spécifications techniques

IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 268W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 268W
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 40A, 6 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 1.01mJ (on), 297μJ (off)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 6.401g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.1V
Reverse Recovery Time 31.8 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2.14V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Gate Charge 72.2nC
Td (on/off) @ 25°C 19.2ns/65.6ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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