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FGB7N60UNDF Spécifications techniques

FGB7N60UNDF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 83W
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 32.3 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2.1V
Test Condition 400V, 7A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 146.8 ns
Gate Charge 18nC
Td (on/off) @ 25°C 5.9ns/32.3ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 89ns
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 83W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 14A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 10.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 7A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 21A
Switching Energy 99μJ (on), 104μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 8.5V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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